氮化镓龙头企业有哪些？

1. 氮化镓龙头企业有哪些？

1、三安光电
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2、闻泰科技
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。

3、耐威科技
公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。

4、南大光电
公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。

5、海陆重工
旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓（ GaN）为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

氮化镓的性质与稳定性：
1、如果遵照规格使用和储存则不会分解。
2、避免接触氧化物，热，水分/潮湿。
3、GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。
4、在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸气压比从焓和熵计算得到的数值低，这是由于有多聚体分子(GaN)x的存在。
5、GaN不被冷水或热水，稀的或浓的盐酸、硝酸和硫酸，或是冷的40%HF所分解。在冷的浓碱中也是稳定的，但在加热的情况下能溶于碱中 [5]  。
以上内容参考：人民网—氮化镓：黑电老牌企业康佳“弯道超车”的助推剂

2. 我国氮化镓生产巨头

国内有多家氮化镓龙头企业，各自有主打产品，并没有某一个企业垄断了一种化工原料的现象出现。下面梳理一下国内比较知名的氮化镓企业。
一、三安光电
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。
二、闻泰科技
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。
公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。
三、耐威科技
公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。
北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。
公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。
公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。
四、南大光电
公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。
MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。
五、海陆重工
旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。
苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。

扩展资料一、氮化镓在新型电子器件中的应用
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。
用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。
调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。
二、氮化镓在光电器件中的应用
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。
目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。
蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。

3. 中国氮化镓生产十大企业

中国氮化镓生产十大企业如下：
1、中国苏州能讯
2007年成立，能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术。
产品：氮化镓射频功率晶体管、无线通信氮化镓射频功放管、氮化镓HEMT管。
芯技术和应用：能讯氮化镓功放管产品在宽带信号下输出高效率和高增益，应用简单，适合LTE、4G、5G等移动通信的超宽带功放应用。
氮化镓HEMT管芯可支持客户DC-6GHz以内的超宽带应用，功率密度、效率及可靠性业内领先，适合应用于紧凑型射频放大模块、通用或个人通讯子系统。
2、苏州晶湛
2012年成立，位于苏州纳米城，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。 截至目前，晶湛半导体已完成A+轮融资，用于扩大生产规模。
产品：GaN-on-Si、GaN-on-SiC、GaN-on-Sapphire。
技术及应用：硅基、蓝宝石基和碳化硅基氮化镓外延片产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。应用于微波射频和电力电子领域；目前已可以提供6英寸、8英寸硅基氮化镓晶圆材料。
3、珠海英诺赛科
成立于2015年12月，引进美国英诺赛科公司SGOS技术。
产品：单管GaN FET，半桥GaN FET、GaN IC。
技术及应用：8英寸硅基氮化镓产业化平台，具有完善的氮化镓外延生长、无金硅CMOS兼容工艺制造、自有可靠性测试与失效分析能力。应用于激光雷达、无线充电和快充、数据中心、5G通信、人工智能、新能源汽车。
4、重庆华润微
2000年成立，以销售额计，公司是2018年前十大中国半导体企业中唯一一家以IDM模式为主运营的半导体企业。
产品：8英寸硅基氮化镓生产线，国内首个8英寸600V/10A GaN功率器件产品技术及应用：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务。
5、杭州士兰微
成立于1997年9月，总部在中国杭州。
2003年上市产品：国内知名IDM企业，建设6英寸硅基氮化镓功率器件中试线。

6、重庆聚力成
2018年9月成立，于重庆市大足区建设硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片基地。
产品：GaN-on-Si和GaN-on-SiC外延晶圆材料、GaN功率器件。
技术及应用：目前，GLC於重庆市大足区建设第一期硅基氮化镓（GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段，整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线。
7、台湾积体电路制造
成立于1987年，2019年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过一千二百万片十二吋晶圆约当量。
产品技术：6英寸的GaN-on- Si。
8、三安集团
于2000年11月成立，坐落于厦门。
产品：650V 0.5um GaN/Si，200V/100V0.5um GaN/Si。
技术及应用：三安集成的氮化镓（GaN）E-HEMT技术服务于消费者和工业应用，如适配器／充电器，电信／服务器smp，无线电源，车载充电器（OBC)和成本有效的解决方案。
9、苏州捷芯威
成立于2013年，海外归国人员创办于苏州工业园区，捷芯威子公司在氮化镓电力电子技术领域，拥有百余项国内外发明专利。专利布局包括材料、器件、工艺和应用；区域覆盖中国、美国、欧洲、日本等。
产品：硅基氮化镓电力电子器件、蓝宝石基氮化镓电力电子器件技术及应用：650V GaN FET，其BVds≥650V，Ids＞10A，导通电阻Ron＜0.15Ω。可以应用于PFC、DC-DC、DC-AC、AC-DC、无线电能传输、电源适配器、无线电源和快充领域。
单管耐压超过2000V的蓝宝石基氮化镓高压保护开关器件，单管耐压2000V，开态时导通电阻低于1Ω，且关态时漏电低于1uA/mm。
10、大连芯冠
2016年3月17日成立于大连高新区，公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式。
产品：硅基氮化镓外延片、硅基氮化镓电力电子器件。
技术及应用：已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。

4. 氮化镓龙头企业是什么？

如下：
1、三安光电
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。

2、闻泰科技
其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。

介绍
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。

5. 氮化镓半导体发展前景如何？

和主流硅基的LDMOS或者Bipolar半导体相比，目前氮化镓半导体的成本略高，这也阻碍了氮化镓有关半导体组件的进一步扩展，有待于工艺的进步以及产业链规模的扩张来不断改善。此外在工艺技术方面，目前氮化镓的工艺参数还没有达到先进的工艺，这也限制了其工作特性，大部分氮化镓无法支持5G高频频段，这也是需要改进的地方。
氮化镓技术想要扩展到更大的领域，需要更进一步的产业链变革，这也是目前各大半导体商都在极力探索研究和攻克的课题，比如MACOM和意法半导体两个半导体商目前已签署共同合作协议，意在利用意法半导体的CMOS工艺来制造氮化镓，改善和扩大氮化镓在手机、无线基站和相关电信基础设施及以外的射频应用。和传统的近似砷化镓工艺相比，CMOS工艺差距会有所不同，目前氮化镓晶圆的极限尺寸是8寸，到了CMOS主流工艺之后，可实现在12寸晶圆上制造氮化镓，因此会对整个成本架构产生根本性改变，所以说氮化镓的应用前景还是可以的，虽然目前因为一些原因，还未能主流普及。

6. 氮化镓属于什么行业

属于半导体行业。
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。

材料应用
新型电子器件
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。

光电器件
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。
以上内容参考 百度百科-氮化镓

7. 氮化镓元件来袭，国内半导体企业却有心无力？

随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指标，也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场，氮化镓即将引领半导体技术革命的呼声越来越高。

有望于手机快充、5G市场起飞
当下，氮化镓的主要应用市场是手机快充、电源产业。近年来手机快充技术不断发展，已成为智能手机标配，而促进其普及的重要推手便是氮化镓组件。德州仪器(TI)电源管理应用经理萧进皇曾表示：“氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性，能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势，因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域受到市场相当不错的回响，应用需求也越来越多。”
为了缩短电池充电时间，缩小快充装置，充电器制造商必须改用氮化镓组件来实现产品设计。据了解，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。戴乐格(Dialog)便是与台积电合作，利用台积电标准化的650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术，针对消费性市场推出可大规模量产的解决方案。
此外，无线电通信也非常需要高性能的氮化镓半导体组件。在去年年底举行的MACOM媒体见面会上，MACOM无线产品中心资深总监成钢曾表示，MACOM推出的第四代的氮化镓产品峰值效率达到70%，即是说如果让中国现在所用的4G基站均采用氮化镓而不是传统的LDMOS，按照6毛钱一度电，7x24小时运营来计算，其可为运营商一年节省23亿元电费，如果是效率更低的2G、3G成本将节约更多。
而对于正在落实中的5G通信，氮化镓技术同样起到了极大的推动作用。5G移动通信将从人与人通信拓展到万物互联，预计2025年全球将产生1000亿的连接，需求成长能力十分可观。但显然5G技术的门槛相对更高，不仅需要超带宽，更需要高速接入，低接入时延，低功耗和高可靠性以支持海量设备的互联。而氮化镓器件拥有更高的功率密度、更高效率和更低功耗，刚好能够满足5G通信对于半导体元器件性能的要求。
国企有心无力?急需建立氮化镓产业链
氮化镓作为新一代元件，国内外企业都在积极布局。虽然早在2000年我国便开始了以氮化镓和碳化硅为代表的宽禁带半导体电力电子器件的研发工作。但我国氮化镓核心材料、器件原始创新能力仍相对薄弱，目前氮化镓方面的核心技术主要集中在国外企业手上。
目前国内在只有极少数的公司在氮化镓有深入的研究，更别说具备氮化镓晶片生产能力，其中华为、中兴等巨头都是选择通过与MACOM形成战略合作伙伴关系，并且只是将硅基氮化镓产品应用于打造基站方面。相对于氮化镓的巨大潜力，国内企业似乎陷入了有心无力的僵局。
作为国内乃至全球为数不多的具备氮化镓晶片生产能力的公司，苏州纳维科技总经理徐科认为氮化镓的未来市场是一个数万亿美元的市场，但也指出国内更需要的是建立氮化镓产业链，发展氮化镓的产业链——在整个产业链中，国内在氮化镓基底的器件研发和生产上仍然面临断层。
总的来说，在手机快充的需求带动与5G通信的落实效应下，氮化镓组件的市场前景十分广阔，相信经济规模很快就会出现。在这个机遇时刻，企业要加快布局，不仅要加强研发，推出相关氮化镓组件产品，更要对重要应用市场——手机快充、5G通信、电源等加大投资力度，建立起产业链，同时形成以氮化镓为依靠的半导体产业体系。
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8. 相比碳化硅基氮化镓及砷化镓，硅基氮化镓半导体材料前景如何？

硅基氮化镓半导体材料相比碳化硅基氮化镓及砷化镓，在实际案例中，目前还没有被广泛应用，但是因为性能优异，所以以后有望普及。
例如相比碳化硅基的氮化镓，硅基的氮化镓比碳化硅基的氮化镓在线性度上有不同的显现，可对基站的复杂信号进行数字调制。
在产能上，碳化硅基由于材料特性，不支持大的晶圆，而硅基氮化镓材料支持大晶圆的特性，有利于电路的扩展和集成，未来有可能在相关领域取代碳化硅基。
另外相比砷化镓，氮化镓拥有高一些的饱和功率，所以当作低噪声放大器使用时，适合雷达等应用领域，可以省略掉限幅器，限幅器的主要作用就是防止高功率干扰信号对放大器带来损失。所以简化的系统噪声系数会好于砷化镓，除此之外混频器等应用中，更好的动态范围也比砷化镓合适。
综合以上所述，从某些方面来说，硅基氮化镓半导体材料有一定优异性，未来有望被广泛应用。